KARAKTERISASI LAPISAN REDUCED GRAPHENE OXIDE (RGO) PADA SUBSTRAT ITO UNTUK APLIKASI SEL SURYA ORGANIK

Abstrak

Untuk meningkatkan kinerja sel surya organik digunakan material Reduced Graphene Oxide (RGO) sebagai lapisan antara ITO dengan material aktif sel surya. Berkaitan dengan hal tersebut perlu dipelajari karakteristik lapisan RGO pada permukaan ITO. Lapisan film RGO didapat dari lapisan Graphene Oxide (GO) yang dikenakan proses termoreduksi (thermal reduction). Film GO dibuat dari 4 mg/ml larutan GO yang didispersikan dalam air dengan menggunakan teknik spincoating. Proses termoreduksi dilakukan melalui pemanasan di dalam oven yang dialirkan dengan gas Nitrogen. Pemanasan dilakukan pada suhu 170 °C dengan variasi waktu pemanasan. Perubahan karakteristik film GO akibat proses termoreduksi diamati dengan spektroskopi UV-Vis. Perubahan kandungan oksigen akibat proses tersebut diamati menggunakan EDS (Energy Dispersive Spectroscopy). Hasil spektroskopi UV-Vis menunjukkan film GO yang dipanaskan mengalami perubahan absorbansi, perubahan absorbansi tersebut meningkat dengan penambahan waktu pemanasan. Sama seperti GO pada permukaan isolator, penambahan absorbansi lapisan GO/ITO berkaitan dengan terjadinya konversi dari GO menjadi RGO. Pada permukaan ITO, perubahan absorbansi akibat termoreduksi tidak lagi terjadi setelah 180 menit.  Hasil EDS menunjukkan terjadi peningkatan persentase antara atom karbon dengan atom oksigen pada lapisan RGO-ITO. Hasil tersebut mengindikasikan adanya perbaikan konjugasi atom karbon pada lapisan RGO-ITO yang dikenakan proses termoreduksi.